第三百八十四章
目前，生长较好的宽禁带半导体主要是SiC和GaN这两种。
在燕大的半导体研究中心这，主要研究的宽禁带半导体工具是GaN。
在GaN基宽禁带半导体领域，该研究中心一直处于国内领先职位。
注册拥有的和GaN宽禁带半导体有关的发现专利，多达二十多个。
包罗GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离要领，铟镓氮单晶薄膜MOCVD外延生长技术等等...
第三百八十四章
目前，生长较好的宽禁带半导体主要是SiC和GaN这两种。
在燕大的半导体研究中心这，主要研究的宽禁带半导体工具是GaN。
在GaN基宽禁带半导体领域，该研究中心一直处于国内领先职位。
注册拥有的和GaN宽禁带半导体有关的发现专利，多达二十多个。
包罗GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离要领，铟镓氮单晶薄膜MOCVD外延生长技术等等...